VT

场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制型半导体器件，其符号在电气原理图中通常表示为“VT”。场效应管具有三个电极，分别是源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。在电路图形符号中，栅极用“G”表示，源极用“S”表示，漏极用“D”表示。此外，场效应管按照其结构和工作方式的不同，可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（如MOSFET），其中绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型。

结型场效应管（JFET）的符号通常显示为一个PN结，以及与PN结相连的漏电极（D）、源极（S）和栅极（G）。绝缘栅型场效应管的符号则显示一个与漏电极（D）、源极（S）和栅极（G）相连的更复杂的结构。