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在三星为其Exynos系列智能手机SoC从平面晶体管转换为基于FinFET的晶体管之后的四年，该公司似乎即将为即将推出的高分辨率图像传感器采用相同的技术。在由电气电子工程师协会(IEEE)组织的第65届国际电子设备会议(IEDM 2019)上，三星工程师团队讨论并介绍了使用14nm FinFET工艺在高分辨率相机传感器上成像应用的优势。在此过程中，他们可能还透露了该公司144MP图像传感器的存在，该传感器将在未来几个月内部署到主流智能手机上。

演讲题目为'14nm FinFET制程技术平台，适用于超过1亿像素密度和超低功耗3D堆叠CMOS图像传感器谈到了在摄像头传感器似乎塞满尽可能大像素的时代，使用基于14nm FinFET技术的CIS(CMOS图像传感器)相对于基于28nm的传统平面CMOS的固有优势。当前大多数智能手机图像传感器均采用基于28 nm的“旧” CIS，可以很好地保持其性能，直到它们仅需要捕获相对较小的10MP或12MP图像。随着品牌越来越多地转向48MP，64MP和100百万像素以上的传感器，这些传感器将发现自己需要更大的功率和资源来处理他们收集的大量数据。三星设想，采用更加高效的基于14nm的FinFET技术将提高整个图像捕获和处理机制的整体效率。

产品工程师在设计带有高分辨率CMOS图像传感器的智能手机时需要应对的关键问题之一是，与标准智能手机SoC相比，CIS解决方案通常在更高的电压下运行。随着对发热的关注和出色的电池寿命成为现代智能手机体验的重要组成部分，通常的趋势是寻求尽可能低的电压。这通常意味着必须对整体图像处理功能进行折衷。三星认为，一旦在未来几年内完成向更高效的14nm FinFET工艺的迁移，这将不再是一个问题。

最初的发现表明，在基于14nm FinFET制造工艺的144MP传感器以10 fps捕获图像的同时，功耗(与现有的28nm平面传感器相比)降低了42%。这些芯片还将带来更高效的视频记录功能，其中可节省多达37%的功率。

本次演讲的三星工程师团队包括三星代工业务部门的首席工程师于冬熙。该团队没有谈论这些基于14nm FinFET的传感器所取得的进展。但是，三星工程师团队可以使用该传感器的工作原型是很合理的。尚待观察的是该公司能够在多长时间内将这种144MP 14nm FinFET传感器带到您和我可以购买的智能手机上。