在三星将其Exynos智能手机SoC从平面晶体管切换到基于FinFET的晶体管四年后，该公司似乎很快将为即将推出的高分辨率图像传感器采用相同的技术。在电气和电子工程师协会(IEEE)举办的第65届国际电子设备大会(IEDM 2019)上，三星工程师团队讨论并介绍了使用14nm FinFET技术在高分辨率相机传感器上成像的优势。在这个过程中，他们还可能会透露该公司144MP图像传感器的存在，该传感器将在未来几个月内部署到主流智能手机上。

讲座题目为14nm FinFET工艺技术平台，适用于每英寸超过1亿像素和超低功耗的3D堆叠CMOS图像传感器。当相机传感器似乎被尽可能大的像素填充时，它讲述了基于14纳米FinFET技术的CIS(CMOS图像传感器)与基于28纳米的传统平面CMOS相比的固有优势。目前大多数智能手机图像传感器采用基于28 nm的“老”CIS，可以很好地保持性能，直到只需要捕捉10MP或12MP的相对较小的图像。随着越来越多的品牌转向48MP、64MP和1亿像素以上的传感器，这些传感器会发现它们需要更多的功率和资源来处理收集的大量数据。三星假设，采用基于14nm的更高效的FinFET技术将提高整个图像捕获和处理机制的整体效率。

工程师在设计带有高分辨率CMOS图像传感器的智能手机时需要处理的一个关键问题是，CIS解决方案通常在比标准智能手机SOC更高的电压下运行。随着对发热和出色电池寿命的关注成为现代智能手机体验的重要组成部分，总的趋势是寻求尽可能低的电压。这通常意味着整体图像处理功能必须受到损害。三星认为，一旦在未来几年内完成向更高效的14nm FinFET工艺的迁移，这将不再是一个问题。

初步发现，基于14nm FinFET制造工艺的144MP传感器以10 fps的速度捕获图像，同时功耗降低了42%(与现有的28nm平面传感器相比)。这些芯片还将带来更高效的视频录制，最高可节省37%的电量。

本次讲座的三星工程师团队包括三星OEM业务部总工程师余东熙。该团队没有谈论这些基于14nm FinFET的传感器取得的进展。然而，三星工程师可以使用传感器的工作原型是合理的。该公司多久能把这款144MP 14nm FinFET传感器带到你我都能买到的智能手机上，还有待观察。