来源：快科技

SK海力士今日宣布，已开始量产新一代HBM2E DRAM内存/视频内存芯片，距离去年8月首次提出该规范仅10个月。

SK海力士的HBM2E具有大容量、高速度、低功耗的特点。8个16Gb(2GB)芯片由TSV硅通技术垂直堆叠，使单个芯片的容量达到16Gb，是上一代HBM2的两倍。理论上可以堆叠12个芯片，单个芯片的容量为24GB。

每叠HBM2的数据速率高达6Gbps(可以理解为6GHz的等效频率)。采用1024位I/O，带宽可以轻松达到460GB/s，而电压可以维持HBM 2 2V的水平。

如果使用四种组合，总容量为64GB，总位宽为4096位，总带宽超过8 TB/s。

这个规格是GDDR6无法达到的。

SK Hynix表示，HBM2E可广泛应用于工业0、高端GPU显卡、高性能超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种前沿领域。

历史上，SK Hynix也是最早拿到HBM的，它是由AMD显卡推出的，最初安装在R9 390X上。

三星也在积极准备HBM2E，而Micron则含糊地表示将在年底前推出新一代HBM。