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站长之家（ChinaZ.com）6月30日消息:三星电子今天宣布，其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片。

三星公司在一份声明中说，与传统的5纳米芯片相比，新开发的第一代3纳米工艺可以降低45% 的功耗，性能提高23%，并减少16% 的面积。三星还称，第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%，性能提高30%，面积减少35%。

据介绍，为突破鳍式场效应晶体管（FinFET）的性能限制，三星选择了多桥通道 FET(简称 MBCEFT)技术来制造首批 GAA 晶体管芯片。通过下调电压水平来提升能源效率，同时增加驱动电流以提升性能。

目前三星正在努力推动3nm GAA 晶体管和相关半导体芯片在高性能、低功耗计算领域的采用，并且计划将相关优势推广到移动处理器。

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