1、 三星电子正在大规模生产首款嵌入式通用闪存3.0芯片。从eUFS2.1切换到eUFS3.0提供了两倍以上的读取速度和近1.6倍的写入速度。

2、 它由第五代512千兆V-NAND组成，读取速度为2100MB/s，写入时钟约为410 MB/s，现在随机读取快了9%。随机写入提高36%。在2017年初步展示了512GB的UFS芯片后，又在短短两年内推出了另一款双性能的UFS芯片，这是一大进步。

3、 据说把一部全高清电影转到512GB机型只需要三秒钟。移动设备上和移动设备外的大量数据将变得更快，但大多数用户不太可能充分利用这些数据。你仍然需要一根有线的USB电缆来达到最大的传输速度，因为大多数人没有Wi-Fi6接入点。

4、 本月晚些时候，三星将推出512GB和128GB UFS3.0芯片。今年下半年将会出现1TB和256GB的机型，给其他移动设备厂商足够的选择。三星认为，其超快存储最终将使用“超大高分辨率屏幕”作为手机的终端，这可能是对Galaxy Note10的微妙暗示。