虽然我们目前处于PCIe 0革命的最前沿，但在2019年，闪存的价格已经稳定甚至回升，新技术的引入也比较缓慢。研发的步伐；d还在追赶，所以进入2020年，我们应该会在2019年的设计基础上开始看到很多有趣的发展。这是我们2019年固态硬盘年度回顾。

3D与非门层和位向上蠕变

2018年闪存价格大幅下跌的原因是64层3D NAND一代在大多数主要厂商中表现良好，导致市场竞争激烈。价格下降的趋势在2019年被证明是不可持续的，大多数制造商选择放慢其96层产品的生产速度，而不是加深供过于求的局面：英特尔、Micron和SK Hynix。这意味着今年很多产品发布会都还在使用64L NAND，要到2020年才能达到EOL(或者更晚，一些移动速度较慢的企业机型)。

第一款96层固态硬盘于2018年7月推出，但96L一代直到2019年才真正认真开始。三星是第一家推出新一代3D NAND零售SSD的公司，但实际上他们只有92层970 EVO Plus。在大多数其他方面，他们仍然是行业领导者，但在最初的水平上，他们显然已经落后了。这主要是由于三星决定不使用串叠进行3D NAND制造，所以相比竞争对手的96L NAND，其92L NAND的制造工艺步骤更少。

另一方面，SK海力士已经开始使用其128L 3D NAND采样SSD，并准备在2020年国际消费电子展上宣布其零售模式。历史上，他们一直试图在层数上超越其他市场，但有更多的方法来弥补3D NAND密度的其他缺点。今年，他们终于开始看到，3D NAND在SSD取代移动存储方面取得了更大的成功，但主要是使用自己的SSD型号，而不是与其他SSD供应商一起赢得设计。展望未来，英特尔可能会在2020年率先采用144L QLC NAND进行层数计数。

随着NAND形势发展缓慢，每单元四位QLC NAND闪存未能进一步进入SSD市场。它仍然是入门级NVMe驱动程序的一个有吸引力的选择，但TLC NAND仍然是主流和高端驱动程序的默认选择。

然而，这并没有阻止闪存制造商探索进一步提高密度的方法，从而超过QLC NAND的要求。厂商已经开始公开谈论他们的5位每单元(PLC)NAND实验，在技术上绝对可行，但在经济上是否可行还不清楚。QLC与非门的所有缺点通过在每个单元中增加第五位而被放大。在今年的闪存峰会和IEDM上，东芝/Kioxia提出了将3D NAND内存物理拆分为两个的想法，这为增加密度提供了另一种方式。