智能手机开始运行相当疯狂的内存，有的地方高达16GB，但对于PC、服务器和HPC来说，依然没有超过RAM。这些计算机中的内存用三位数表示，但主要受模块中能容纳多少RAM芯片的限制。如果能在一根记忆棒中放入更多的RAM，那么在同样数量的插槽中就能拥有更多的内存，而三星全新的512GB DDR5 DRAM模块无疑不仅在容量或速度上打破了这一壁垒，在使用的技术上也是如此。

三星的新模块不仅是第一个基于新DDR5规格的模块，还号称是第一个采用高K金属栅极或HKMG工艺制造的大容量模块。随着动态随机存取存储器元件越来越小，应该防止电流泄漏的绝缘层变得越来越小。三星的解决方案是用新的金属和材料取代通常的硅基绝缘体，这正是HKMG所做的。

通过切换到HKMG并降低漏电流，512GB DDR5内存还有其他优势。三星可以将功耗降低13%，同时将性能提升到7200 MB/s，是DDR4的两倍。这些功能与专为节能数据中心设计的DRAM所追求的功能完全相同。

三星HKMG科技对其并不陌生。早在2018年就用于显卡的GDDR6内存，这是业界的又一创举。除了已经在许多DRAM产品中使用的直通硅通孔(TSV)技术，三星还声称它是市场上唯一能够实现这一壮举的技术。

也就是说，三星基于HKMG的512GB DDR5内存仍处于验证阶段。但是，即使通过了，也不要指望消费者使用，因为公司的目标客户是人工智能和机器学习、数百亿计算和数据中心行业。