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IGBT是绝缘栅双极晶体管。它是由BJT双极型晶体管和金属氧化物半导体绝缘栅场效应晶体管组成的复合全控电压驱动功率半导体器件，具有金属氧化物半导体场效应晶体管输入阻抗高、GTR导通压降低的优点。

静态特性：IGBT的静态特性主要包括伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT伏安特性是指以栅源电压UGS为参数时漏电流与栅电压的关系曲线。输出漏电流比由栅源电压ugs控制，ugs越高，id越大。这与GTR的产出特点相似。也可以分为饱和区1、放大区2和击穿特性。在断开状态下的IGBT，直流电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果没有N缓冲器，正向和反向阻断电压可以处于同一水平。加N缓冲后，反向关断电压只能达到几十伏，限制了IGBT的一些应用。