SK海力士宣布开发了一款全新的1Znm 16Gb(千兆位)DDR4内存。1Znm将提供现有DDR4 DRAM模块中可用的行业最大密度和每个晶圆的总容量。

该公司声称，新的1Znm内存模块的生产率比上一代1Ynm生产线高27%左右。然而，制造过程不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻，因此生产1Znm将是具有成本效益的。

SK hynix 1Znm内存支持高达3200Mbps的数据传输速率，是DDR4接口中数据处理速度最快的。新的1Znm内存模块提高了电源效率，因此与之前相同密度的1YNnm 8Gb DRAM模块相比，成功降低了约40%的功耗。

在制造过程中，使用了上一代没有使用的新物质，可以最大化1Znm产品的电容。电容是电容能够存储的电荷量，是DRAM运行的关键要素。在此过程中，还引入了新的设计来提高运行稳定性。

1Z TF负责人Lee Jung-hoon表示：“1Znm DDR4 DRAM拥有业界最高的密度、速度和功率效率，是满足寻求高性能/高密度DRAM的客户不断变化的需求的最佳产品。DRAM开发和业务。“SK海力士将于明年开始量产并全面交付，积极响应市场需求。”

SK Hynix计划将1Znm技术扩展到一系列应用，包括下一代移动LPDDR5 DRAM和HBM3，这将是未来最快的DRAM。

KitGuru表示：SK hynix一直在进行技术进步和产品改进。看到这种新的内存在HBM3 DRAM中实现，以及它对未来性能的影响，将会很有趣。